首页>PBHV9040T>规格书详情

PBHV9040T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

PBHV9040T

参数属性

PBHV9040T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB

功能描述

500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-11 12:20:00

人工找货

PBHV9040T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PBHV9040T规格书详情

描述 Description

General description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8540T.

特性 Features

■ High voltage
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ AEC-Q101 qualifiedApplications
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
■ LED driver for LED chain module
■ LCD backlighting
■ High Intensity Discharge (HID) front lighting
■ Automotive motor management
■ Hook switch for wired telecom
■ Switch mode power supply 

技术参数

  • 产品编号:

    PBHV9040TVL

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 20mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    55MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia/安世
22+
SOT23
90000
原厂原装正品现货
询价
恩XP
24+
SOT-23
5070
全新原装,价格优势,原厂原包
询价
恩XP
2511
N/A
6000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
恩XP
24+
N/A
6000
原装,正品
询价
NEXPERIA/安世
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价
NEXPERI
21+
SOT23
12000
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查
询价
恩XP
21+
SOT23
1170
原装现货假一赔十
询价
NEXPERIA/安世
23+
TO-236AB
76195
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
恩XP
24+
SOT-23
12000
原装正品真实现货杜绝虚假
询价
恩XP
22+
SOT23
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价