PBHV9040T中文资料500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书
| 厂商型号 |
PBHV9040T |
| 参数属性 | PBHV9040T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB |
| 功能描述 | 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | 恩XP |
| 中文名称 | N智浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 20:00:00 |
| 人工找货 | PBHV9040T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV9040T规格书详情
描述 Description
General description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8540T.
特性 Features
■ High voltage
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ AEC-Q101 qualifiedApplications
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
■ LED driver for LED chain module
■ LCD backlighting
■ High Intensity Discharge (HID) front lighting
■ Automotive motor management
■ Hook switch for wired telecom
■ Switch mode power supply
技术参数
- 产品编号：
PBHV9040TVL
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 20mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，10V
- 频率 - 跃迁：
55MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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