PBHV9040T中文资料500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

厂商型号 |
PBHV9040T |
参数属性 | PBHV9040T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB |
功能描述 | 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | 恩XP |
中文名称 | N智浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:00:00 |
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PBHV9040T规格书详情
描述 Description
General description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8540T.
特性 Features
■ High voltage
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ AEC-Q101 qualifiedApplications
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
■ LED driver for LED chain module
■ LCD backlighting
■ High Intensity Discharge (HID) front lighting
■ Automotive motor management
■ Hook switch for wired telecom
■ Switch mode power supply
技术参数
- 产品编号:
PBHV9040TVL
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 20mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 50mA,10V
- 频率 - 跃迁:
55MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 400V 0.25A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
45502 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
16++ |
SOT23 |
1170 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
880000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
NEXPERI |
13+ |
SOT23 |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装,正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |