PBHV9115T中文资料150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBHV9115T |
| 参数属性 | PBHV9115T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 150V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 8:57:00 |
| 人工找货 | PBHV9115T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV9115T规格书详情
描述 Description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-263AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115T.
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• High Intensity Discharge (HID) front lighting
• Automotive motor management
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
技术参数
- 制造商编号
：PBHV9115T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：-150
- IC [max] (mA)
：-1000
- hFE [min]
：100
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
17+ |
SOT-23 |
880000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
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ADI |
23+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
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30000 |
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NEXP |
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SOT-23 |
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恩XP |
16+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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