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AP2307GN-HF	文件：62.93 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2307N	文件：67.81 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageappli	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2307	文件：633.79 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmen	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2307AC-TR	文件：633.79 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmen	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
ASI2307	文件：18.28 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2307isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3000MHz. FEATURES: •PG=9.5dBmin.at7W/2300MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR2307Z	文件：683.76 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFR2307Z	文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AUIRFR2307Z	文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307ZTR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR2307ZTRL	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR2307ZTRR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
BC2307	文件：1.37643 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
CDK2307	文件：1.19338 Mbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	CADEKACadeka Microcircuits LLC. Cadeka Microcircuits LLC.	CADEKA
CDK2307	文件：908.71 Kbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	EXAREXAR Corporation 艾科嘉艾科嘉（杭州）信息技术有限公司	EXAR
CEN2307A	文件：649.55 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307B	文件：485.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307BB	文件：536.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307	文件：408.44 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

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产品属性

产品编号：
PAM2307BECADJR
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
2.7V
电压 - 输入（最大值）：
5.5V
电压 - 输出（最小值/固定）：
0.6V
电压 - 输出（最大值）：
5.5V
电流 - 输出：
3A
频率 - 开关：
1.5MHz
同步整流器：
是
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SO-EP
描述：
IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SO

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