首页 >S2307>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

S2307

Attractive styling

文件:596.87 Kbytes 页数:1 Pages

LSTD

莱尔德

S2307

N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die

S2307是SiC功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。\n\n SiC支持页面\n\n评估板 应用实例\n\n罗姆SiC器件 什么是SiC?\n\n电子基础 · Low ON resistance\n· Fast switching speed\n· Fast revese recovery\n· Easy to parallel\n· Simple to drive;

ROHM

罗姆

S2307AMP10NF

Attractive styling

文件:596.87 Kbytes 页数:1 Pages

LSTD

莱尔德

S2307AMP10SMF

Attractive styling

文件:596.87 Kbytes 页数:1 Pages

LSTD

莱尔德

S2307AMP10TNF

Attractive styling

文件:596.87 Kbytes 页数:1 Pages

LSTD

莱尔德

S2307MP10SMF

Attractive styling

文件:596.87 Kbytes 页数:1 Pages

LSTD

莱尔德

S2307MP10TNF

Attractive styling

文件:596.87 Kbytes 页数:1 Pages

LSTD

莱尔德

S2307AMP10SMF

包装:散装 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 天线 描述:RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS 10\

TE Connectivity Laird

TE Connectivity Laird

S2307AMP10TNF

包装:散装 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 天线 描述:RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS 10\

TE Connectivity Laird

TE Connectivity Laird

S2307AMP36RSM

包装:散装 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 天线 描述:RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS 36\

TE Connectivity Laird

TE Connectivity Laird

技术参数

  • RoHS:

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]:

    1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]:

    45

  • Generation:

    2nd Gen

  • Drain Current[A]:

    68

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
2022+
679
全新原装 货期两周
询价
LAIRD
25+
射频元件
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
IR
23+
SOP-8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
IR
22+
SOP8
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
IR
23+
SOP8
8000
只做原装现货
询价
国产
25+
SOT-23
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
询价
SMC/桑德斯
2026+PB
SOT-23
90000
全新Cnnpchip
询价
FOXELECTR
23+
NA
1304
专做原装正品,假一罚百!
询价
原装晶体振荡器
25+23+
NA
18495
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ORIGINAL
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
更多S2307供应商 更新时间2026-3-14 9:50:00