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READ2304G	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40˚Cto+105˚C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
READ2304GSN	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40˚Cto+105˚C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
READ2304GSP	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	HighDrivability&HighSlewRate,InputOutputFullRange, Description TheREAD2304GisinputandoutputfullrangedualCMOSOperationalAmplifierrealizinghighdrivability andhighslewrate.ThisICcanbeusedinminimumoperatingsupplyvoltagefrom2.5V,andinwideambient temperaturerangefrom-40˚Cto+105˚C. Availableinultra-small8pins	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RF2304	文件：327.75 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304	文件：241.65 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304	文件：197.03 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2304isalow-noisesmall-signalamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasagainblockinhigh-endcommunicationsystemsoperatingfromlessthan300MHztoabove2.5GHz.With+6dBmoutputpower,	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2304PCBA	文件：197.03 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSELOW-NOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2304isalow-noisesmall-signalamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasagainblockinhigh-endcommunicationsystemsoperatingfromlessthan300MHztoabove2.5GHz.With+6dBmoutputpower,	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RM2304	文件：186.08 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM2304E	文件：682.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. FEATURES RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2304	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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产品属性

产品编号：
PAM2304BKFADJ
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
描述：
IC REG BUCK ADJ 1A SYNC 6TDFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	PAM2304BKFADJ	DiodesIncorporated	18+		9800	代理进口原装/实单价格可谈	询价
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更多PAM2304BKFADJ供应商更新时间2025-5-21 15:13:00

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