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P5506BDA

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:301.92 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P5506BDA

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:220.64 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

P5506BDA

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:811.24 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P5506BDG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:484.32 Kbytes 页数:5 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P5506BDG

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00315 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P5506BVA

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:245.67 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

P5506BVG

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:292.62 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

P5506HVA

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:264.57 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

P5506HVG

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.09093 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P5506NV

N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:340.92 Kbytes 页数:7 Pages

NIKOSEM

尼克森

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • Vds(±V):

    40

  • Vgs(±V):

    20

  • RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V:

    55

  • RDS(on)(mΩmax)at VGS=4.5V:

    94

  • VGS(th)(max V):

    3

  • Ciss(pF):

    833

  • Crss(pF):

    138

  • Qg(nC):

    18

  • Qgd(nC):

    6.8

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更多P55供应商 更新时间2025-12-24 11:04:00