丝印：P50N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.022Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATION

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