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BCP53-16T	文件：274 Kbytes Page：14 Pages	丝印：P5316T；Package：SOT223；80 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16T	文件：274.63 Kbytes Page：14 Pages	丝印：P5316T；Package：SOT223；80 V, 1 A PNP medium power transistors 文件：274.63 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
P5316T
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1.5A 100V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多P5316T供应商更新时间2025-9-8 8:26:00

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