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P45N02LDG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY\n• V(BR)DSS 25\n• RDS(ON) 20mΩ\n• ID 45A	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
P45N02LDG	文件：427.21 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：427.21 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P45N02LDG(EOL)	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
PJA45N02	文件：175.53 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：175.53 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
RFP45N02L	文件：372.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 20V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFP45N02L	文件：78.86 Kbytes Page：8 Pages	45A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel Logic Level Power MOSFETs Description The RFP45N02L, RF1S45N02L, and RF1S45N02LSM are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for 文件：78.86 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil

技术参数

Configuration：
Single
Type：
N
Vds(±V)：
25
Vgs(±V)：
20
RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V：
20
RDS(on)(mΩmax)at VGS=4.5V：
41
VGS(th)(max V)：
2.5
Ciss(pF)：
492
Crss(pF)：
187
Qg(nC)：
14.7
Qgd(nC)：
5.6

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更多P45N02LDG供应商更新时间2025-12-1 16:07:00

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