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P3506DD	文件：477.02 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：477.02 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
P3506DD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
P3506DD(EOL)	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
P3506DT	文件：941 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：941 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
P3506ED	文件：245.81 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：245.81 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P3506ED	文件：353.86 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= -27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max)@VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：353.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多P3506DD供应商更新时间2025-12-4 18:08:00