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RF2103PPCBA	文件：191.86 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLINEARAMPLIFIER ProductDescription TheRF2103PisamediumpowerlinearamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinallinearRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween450MHzand	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RN2103	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103	文件：256.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103ACT	文件：196.37 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensityfabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103CT	文件：195.31 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingApplicationsInverterCircuitApplicationsInterfaceCircuitApplicationsDriverCircuitApplications SwitchingApplications InverterCircuitApplications InterfaceCircuitApplications DriverCircuitApplications •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermorecompactequipmentandsaveassemblycost	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103MFV	文件：206.92 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,soenablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RO2103	文件：258.1 Kbytes Page：2 Pages	Idealfor418MHzTransmitters,VeryLowSeriesResistance,QuartzStability	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RO2103A	文件：169.85 Kbytes Page：2 Pages	418.0MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RSZ-2103	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM

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详细参数

型号：
P2103UC
功能描述：
硅对称二端开关元件 3Chp 170V 500A
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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