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P2065WTF	文件：202.84 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel High Voltage Mode Field Effect Transistor 文件：202.84 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P2065WTF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
PCDH2065CCGB	文件：431.21 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features  Temperature Independent Switching Behavior  High Surge Current Capability  Competitive VF 1.3V at rated current  Low Conduction Loss  Zero Reverse Recovery  High junction temperature 175 oC  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 文件：431.21 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PCDH2065CCGC	文件：426.3 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features  Temperature Independent Switching Behavior  High Surge Current Capability  Low Switching Loss  Zero Reverse Recovery  High junction temperature 175 oC  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard Application  PFC, UPS, PV 文件：426.3 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PCDP2065GB	文件：332.65 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features  Temperature Independent Switching Behavior  High Surge Current Capability  Competitive VF 1.3V at rated current  Low Conduction Loss  Zero Reverse Recovery  High junction temperature 175 oC  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 文件：332.65 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

Package：
TO-220F
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID (A)：
20
RDS(ON)mΩmax at 10V：
190
VGS(th) max：
4.5
Typical Ciss(pF)：
1335
Typical Coss(pF)：
61
Typical Crss(pF)：
6.8
Typical Qg(nC)：
27
Typical Qgd(nC）：
7.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多P2065WTF供应商更新时间2025-10-9 13:26:00

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