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PULN2003ADYYR	文件：1.88931 Mbytes Page：41 Pages	ULN200x,ULQ200xHigh-Voltage,High-CurrentDarlingtonTransistorArrays 1Features •500mA-ratedcollectorcurrent(singleoutput) •High-voltageoutputs:50V •Outputclampdiodes •Inputscompatiblewithvarioustypesoflogic •Relay-driverapplications 2Applications •RelayDrivers •StepperandDCBrushedMotorDrivers •LampDrivers •DisplayDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
QBH-2003	文件：43.17 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
QBH-2003	文件：69.01 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
QL2003	文件：333.22 Kbytes Page：10 Pages	3.3Vand5.0VpASIC-R2FPGACombiningSpeed,Density,LowCostandFlexibility [QuickLogic] PRODUCTSUMMARY TheQL2003isa3,000usableASICgate,5,000usablePLDgatememberofthepASIC2familyofFPGAs.pASIC2FPGAsemployauniquecombinationofarchitecture,technology,andsoftwaretoolstoprovidehighspeed,highusabledensity,lowprice,andflexibilityinth	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
QRT2003DC	文件：114.16 Kbytes Page：7 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
R2003	文件：276.99 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPSILICONRECTIFIERS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RBU2003M	文件：162.47 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT20Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:300amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RBV2003S	文件：398.26 Kbytes Page：2 Pages	MoldingSingle-PhaseBridgeRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
RD2003JN	文件：192.03 Kbytes Page：3 Pages	DiffusedJunctionSiliconDiodeLowVF-High-SpeedSwitchingDiode Features •Highbreakdownvoltage(VRRM=300V). •Highreliability. •Fastforward/reverserecoverytime. •Lownoiseatthetimeofreverserecovery. •AttachmentworkabilityisgoodbyMica-lesspackage.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
RD2003JS-SB	文件：197.1 Kbytes Page：3 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode Features •VF=1.3Vmax.(IF=20A) •VRRM=300V •trr=20ns(typ.)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

技术参数

Package：
TO-252
Configuration：
Single
Type：
P
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
25
ID (A)：
-36
RDS(ON)mΩmax at 10V：
20
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
35
VGS(th) max：
-2.5
Typical Ciss(pF)：
1600
Typical Coss(pF)：
362
Typical Crss(pF)：
266
Typical Qg(nC)：
28
Typical Qgd(nC）：
6

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