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STP16NF06	文件：367.23 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL60V-0.08ohm-16ATO-220/TO-220FPSTripFET??IIPOWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP16NF06	文件：325.46 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-0.08廓-16A-TO-220/TO-220FPSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STP16NF06FP	文件：296.18 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·TypicalRDS(on)=0.08Ω ·Withlowgatedriverequirements ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·Solenoldandrelaydirvers ·DC-DC&DC-CAconverters ·Automotiveenvironment	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP16NF06L	文件：1.09154 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP16NF06L	文件：337.12 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL60V-0.07ohm-16ATO-220/TO-220FPSTripFET??IIPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP16NF06LFP	文件：337.12 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL60V-0.07ohm-16ATO-220/TO-220FPSTripFET??IIPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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