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P10NK60Z

型号:STP10NK60Z;Package:TO-220;N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:492.83 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

P10NK60ZFP

型号:STP10NK60ZFP;Package:TO-220FP;N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:492.83 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

型号:P10NK60Z;N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

文件:409.25 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

型号:P10NK60Z;N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10688 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

型号:P10NK60ZFP;N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

文件:409.25 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

型号:P10NK60ZFP;N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10617 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    P10NK60Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多P10NK60Z供应商 更新时间2025-8-6 13:40:00