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P1100SC	文件：3.40002 Mbytes Page：6 Pages	丝印：P11C；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS) Features and Benefits Low voltage overshoot Low on-state voltage Does not degrade surge capability after multiple surge events within limit Fails short circuit when surged in excess of ratings Low Capacitance 文件：3.40002 Mbytes 页数：6 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
P1100SC	文件：670.24 Kbytes Page：8 Pages	丝印：P11C；Thyristor Surge Suppressors (TSS) Description DO-214AA Thyristor solid state protection thyristor protect telecommunications equipment such as modems, line cards, fax machines, and other CPE. P Series devices are used to enable equipment to meet various regulatory requirements including GR 1089, ITU K.20, K.21 and K.45, IEC 文件：670.24 Kbytes 页数：8 Pages	YAGEO 国巨	YAGEO
P1100SC	文件：324.07 Kbytes Page：6 Pages	丝印：P11C；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors 文件：324.07 Kbytes 页数：6 Pages	HUAXINAN 华兴安	HUAXINAN
P1100SCLRP	文件：324.39 Kbytes Page：6 Pages	丝印：P11C；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors 文件：324.39 Kbytes 页数：6 Pages	HUAXINAN 华兴安	HUAXINAN
P11C	文件：376.56 Kbytes Page：7 Pages	SIDACtor Protection Thyristors 文件：376.56 Kbytes 页数：7 Pages	HUAXINAN 华兴安	HUAXINAN
P11C	文件：393.01 Kbytes Page：7 Pages	SIDACtor Protection Thyristors 文件：393.01 Kbytes 页数：7 Pages	HUAXINAN 华兴安	HUAXINAN
P11C68	文件：156.08 Kbytes Page：17 Pages	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM 文件：156.08 Kbytes 页数：17 Pages	ZARLINK Zarlink Semiconductor	ZARLINK
P11C68-	文件：156.08 Kbytes Page：17 Pages	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM 文件：156.08 Kbytes 页数：17 Pages	ZARLINK Zarlink Semiconductor	ZARLINK
P11C68-35	文件：156.08 Kbytes Page：17 Pages	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM 文件：156.08 Kbytes 页数：17 Pages	ZARLINK Zarlink Semiconductor	ZARLINK
P11C68-35CG	文件：156.08 Kbytes Page：17 Pages	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM 文件：156.08 Kbytes 页数：17 Pages	ZARLINK Zarlink Semiconductor	ZARLINK

详细参数

型号：
P11C
功能描述：
硅对称二端开关元件 500A 90V
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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