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P1006BK	文件：232.76 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：232.76 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P1006BT	文件：396.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：396.85 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P1006BT	文件：483.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：483.04 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1006BTF	文件：831.43 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：831.43 Kbytes 页数：9 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1006BTF	文件：396.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：396.62 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P1006BTFS	文件：831.43 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：831.43 Kbytes 页数：9 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P10080-1	文件：555.83 Kbytes Page：1 Pages	Released from Engineering 文件：555.83 Kbytes 页数：1 Pages	DBUNLIMITED	DBUNLIMITED
P10090	文件：72.54 Kbytes Page：4 Pages	InAs photovoltaic detector 文件：72.54 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
P10090_15	文件：212.33 Kbytes Page：6 Pages	InAs photovoltaic detectors 文件：212.33 Kbytes 页数：6 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
P10090-01	文件：72.54 Kbytes Page：4 Pages	InAs photovoltaic detector 文件：72.54 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

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技术参数

Package：
D8x7.5
VRRM：
50 V
IFAV：
10.00 A
Tjmax：
175 °C
VF：
1.05 V
IF：
10.00 A
IFSM：
400.00 A
IR：
10.000 µA
Cj：
pF
VR：
V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	P100	台湾红星	2016+	QFP	20000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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