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P1004BS	文件：1.07324 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.07324 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
P1004HV	文件：1.00429 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.00429 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
P1005	文件：131.61 Kbytes Page：10 Pages	High Precision Wraparound - Wide Ohmic Value Range Thin Film Chip Resistors, Sulfur Resistant 文件：131.61 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
P1006BD	文件：352.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：352.57 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P1006BD	文件：737.56 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：737.56 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1006BI	文件：777 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：777 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1006BI	文件：976.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：976.79 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
P1006BI	文件：351.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：351.8 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P1006BIS	文件：712.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：712.95 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1006BK	文件：435.25 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：435.25 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC

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技术参数

Package：
D8x7.5
VRRM：
50 V
IFAV：
10.00 A
Tjmax：
175 °C
VF：
1.05 V
IF：
10.00 A
IFSM：
400.00 A
IR：
10.000 µA
Cj：
pF
VR：
V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	P100	台湾红星	2016+	QFP	20000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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