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UPA1723

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1723G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1723G

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

详细参数

  • 型号:

    P-MC1723L

  • 制造商:

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述:

    I.C.(VP)

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更多P-MC1723L供应商 更新时间2025-5-8 10:07:00