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OTF12T60P	文件：494.9 Kbytes Page：7 Pages	600V,12A N-Channel MOSFET 文件：494.9 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
SIGC12T60NC	文件：69.59 Kbytes Page：4 Pages	IGBT Chip in NPT-technology 文件：69.59 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SIGC12T60SNC	文件：79.62 Kbytes Page：4 Pages	IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient 文件：79.62 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AOB12T60P	文件：494.9 Kbytes Page：7 Pages	600V,12A N-Channel MOSFET 文件：494.9 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12T60P	文件：333.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive, 文件：333.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB12T60PL	文件：494.91 Kbytes Page：7 Pages	RoHS and Halogen Free Compliant 文件：494.91 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

更多OTF12T60P供应商更新时间2026-1-27 10:04:00