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60R190D	文件：498.44 Kbytes Page：16 Pages	600VCoolGaN™enhancement-modePowerTransistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
60R190P	文件：1.31882 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
BRF60R190	文件：1.394 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
IPAW60R190CE	文件：1.029839 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS짧CEPowerTransistor 600VCoolMOSªCEPowerTransistor Applications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
MMF60R190P	文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMF60R190PTH	文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMF60R190PTH	文件：322.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MMF60R190Q	文件：1.44307 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMF60R190QTH	文件：1.44307 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMF60R190QTH	文件：323.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MML60R190P	文件：1.21747 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MML60R190PTH	文件：1.21747 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMP60R190P	文件：1.31882 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
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MMP60R190PETH	文件：1.50152 Mbytes Page：10 Pages	600V0.190ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMP60R190PTH	文件：266.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MMP60R190PTH	文件：1.31882 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMQ60R190P	文件：1.19145 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMQ60R190PTH	文件：1.19145 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMQ60R190PTH	文件：373.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	OSG60R190DTF	东微		TO-252	52628	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳中芯器材有限公司	OSG60R190DTF	Oriental	22+	原厂封装	2500	百分百原装现货	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	OSG60R190DTF	ORIENTAL SEMI/东微	24+	TO-252	12500	东微全系列在售	询价
深圳市桐芯微电子有限公司	OSG60R1K2DF	Oriental/东微	22+	NA	2500	B原装正品现货N	询价
艾睿国际（香港）有限公司	OSG60R260DF	ORIENTAL SEMI(东微)	2112+	T0-252	115000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市弘为电子有限公司	OSG60R260IF	东微	22+	TO-262	30000	只做原装	询价
深圳兆威电子有限公司	OSG60R380FF	ORIENTAL	23+	TO-220F	90000	只做原装全系列供应价格优势可开增票	询价

更多OSG60R190DTF供应商更新时间2024-4-27 11:10:00

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