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PLVA659A	文件：43.9 Kbytes Page：8 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes DESCRIPTION HighperformancevoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. TheseriesconsistsofPLVA650AtoPLVA668A. FEATURES •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately1⁄20ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:approximat	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PLVA659A	文件：223.79 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659A-Q	文件：206.37 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
S659	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
SBC-659P	文件：410.75 Kbytes Page：1 Pages	IntelPentiumIIIandCeleronProcessors	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
SDR659	文件：80.01 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SLVU659A	文件：425.45 Kbytes Page：17 Pages	TPS62125EVM-044EvaluationModule	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
STB659B	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB659B	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU659B	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

详细参数

型号：
OPA659IDBVT
功能描述：
高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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