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PLVA659A	文件：43.9 Kbytes Page：8 Pages	Low-voltage avalanche regulator diodes DESCRIPTION HighperformancevoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. TheseriesconsistsofPLVA650AtoPLVA668A. FEATURES •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately1⁄20ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:approximat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PLVA659A	文件：223.79 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltage avalanche regulator diodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659A-Q	文件：206.37 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltage avalanche regulator diodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659A/LF1R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER SOT23	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PLVA659A/ZLR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 5.9V 250MW TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659AVL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER SOT23/TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
659	文件：146.82 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
659H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ADG659	文件：395.16 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG658andADG659arelowvoltage,CMOSanalogmultiplexerscomprisedofeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG658switchesoneofeightinputs(S1–S8)toacommonoutput,D,asdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YCP	文件：395.16 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG658andADG659arelowvoltage,CMOSanalogmultiplexerscomprisedofeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG658switchesoneofeightinputs(S1–S8)toacommonoutput,D,asdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YCP	文件：452.42 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YRQ	文件：452.42 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YRQ	文件：395.16 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG658andADG659arelowvoltage,CMOSanalogmultiplexerscomprisedofeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG658switchesoneofeightinputs(S1–S8)toacommonoutput,D,asdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG659YRQ-REEL	文件：395.16 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG658andADG659arelowvoltage,CMOSanalogmultiplexerscomprisedofeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG658switchesoneofeightinputs(S1–S8)toacommonoutput,D,asdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADG659YRU	文件：452.42 Kbytes Page：20 Pages	3V/5V/짹5VCMOS4-and8-ChannelAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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BB659	文件：405.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes SiliconVariableCapacitanceDiodes •FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners •Highcapactanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package1) •Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB659	文件：16.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForVHF-TV-tunersHighcapacitanceratioLowseriesinductanceLowseriesresistance) SiliconTuningDiode •ForVHF-TV-tuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB659	文件：76.46 Kbytes Page：7 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
PLVA659A
功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PLVA659A供应商更新时间2024-5-26 15:14:00

详细参数

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