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OPA655P	文件：222.23 Kbytes Page：14 Pages	Wideband, Unity Gain Stable, FET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器
OPA655P	文件：191.93 Kbytes Page：16 Pages	Wideband, Unity Gain Stable, FET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
655	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
655H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ALC655	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC655-LF	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
AT655	文件：44.29 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto2800V Meanon-statecurrent1545A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors
C655	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures
CEB655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEF655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEI655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CM655	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company
CNS655-MU	文件：1.41675 Mbytes Page：8 Pages	TypeBFready	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技

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详细参数

型号：
OPA655P
制造商：
Texas Instruments
功能描述：
OP AMP WIDEBAND FET IP DIP8 655

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多OPA655P供应商更新时间2024-3-28 14:07:00

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