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OPA659IDBVR

Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA659IDBVR

Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

OPA659IDBVR

JFET-Input Operational Amplifier

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA659IDBVT

Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

OPA659IDBVT

JFET-InputOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA659IDBVT

Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA659IDRBR

Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA659IDRBR

JFET-InputOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

OPA659IDRBR

Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

OPA659IDRBT

Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

详细参数

  • 型号:

    OPA659IDBVR

  • 功能描述:

    高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 通道数量:

    1 电压增益

  • dB:

    116 dB

  • 输入补偿电压:

    0.5 mV

  • 转换速度:

    55 V/us

  • 工作电源电压:

    36 V

  • 电源电流:

    7.5 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-8

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多OPA659IDBVR供应商 更新时间2025-7-29 16:33:00