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OPA683IDR	文件：1.09632 Mbytes Page：31 Pages	Very Low-Power, Current Feedback RATIONAL AMPLIFIER With Disable	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA683IDRG4	文件：1.09632 Mbytes Page：31 Pages	Very Low-Power, Current Feedback RATIONAL AMPLIFIER With Disable	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
683	文件：143.59 Kbytes Page：2 Pages	T-1SubminiatureLamps T-1SubminiatureLamps T-1SubminiatureShortTypeLamps	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
683JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN-683	文件：33.4 Kbytes Page：2 Pages	300MHzDualEight-WayMultiplexer/Demultiplexer	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AZ683	文件：118.35 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREPOWERRELAY FEATURES •ACcoils •Dielectricstrength5000Vrms •Lowcost •Fluxtightpackage •10Ampswitching-singlepolecontacts •Isolationspacinggreaterthan8mm •Moldedmaterials:all •UL,CURfileE43203 •TÜVfileR50008783	AZETTLER American Zettler, Inc.	AZETTLER
AZ683	文件：95.85 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREPOWERRELAY [MARELCOM] FEATURES •ACcoils •Dielectricstrength5000Vrms •Lowcost •Fluxtightpackage •10Ampswitching-singlepolecontacts •Isolationspacinggreaterthan8mm •Moldedmaterials:all94V-0 •ULandCanadianfileE43203	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BA683	文件：46.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPlanarDiodes FEATURES •Siliconplanardiodes •Lowdynamicforwardresistance •Lowdiodecapacitance •Highreverseimpedance •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •BandswitchinginVHF-tuners	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BA683	文件：94.73 Kbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches?	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BA683	文件：52.42 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPINDIODES ●Low-lossVHFbandswitchforTVtuners	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BA683	文件：32.79 Kbytes Page：1 Pages	Band-switchingdiodes Features ●Continuousreversevoltage:max.35V ●Continuousforwardcurrent:max.100mA ●Lowdiodecapacitance:max.1.5pF ●Lowdiodeforwardresistance:max.0.7to1.2Ω	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BA683	文件：62.45 Kbytes Page：3 Pages	BandSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BA683	文件：31.05 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiodes DESCRIPTION Planarhighperformanceband-switchingdiodesinaglassSOD80SMDpackage. FEATURES •Continuousreversevoltage:max.35V •Continuousforwardcurrent:max.100mA •Lowdiodecapacitance:max.1.5pF •Lowdiodeforwardresistance:max.0.7to1.2Ω. APPLICATION •Band-swit	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BA683	文件：82.31 Kbytes Page：5 Pages	BandSwitchingDiodes FEATURES •Siliconplanardiodes •Lowdynamicforwardresistance •Lowdiodecapacitance •Highreverseimpedance •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •BandswitchinginVHF-tuners	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BA683	文件：228.28 Kbytes Page：3 Pages	BandSwitchingDiodes FEATURES •Siliconplanardiodes •Lowdynamicforwardresistance •Lowdiodecapacitance •Highreverseimpedance •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •BandswitchinginVHF-tuners	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BD683	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD683	文件：182.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ComplementaryBD676,676A,678,678A,680,680A,682&684	CDIL CDIL	CDIL
BD683	文件：72.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD683andBD683AareNPNeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. PNPcomplementsareBD684andBD684A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD683	文件：85.37 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD683isNPNeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. PNPcomplementisBD684.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD683	文件：101.73 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD684 •DARLINGTON APPLICATIONS •Foraudioandvideoapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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详细参数

型号：
OPA683IDR
功能描述：
高速运算放大器 Very Lo-Pwr Current Feedback
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科国际电子(深圳)有限公司	OPA683IDR	TI/德州仪器	19+	SOP8	790	全新原装现货,特价出售	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	OPA683IDR	Texas Instruments	23+	8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	OPA683IDR	TI	22+	SOIC-8	65568	代理授权直销,原装现货,长期稳定供应	询价
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更多OPA683IDR供应商更新时间2024-4-30 8:40:00

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