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OPA4330AIRGYT	文件：1.20873 Mbytes Page：30 Pages	50mV VOS, 0.25mV/째C, 35mA CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS Zer첩-Drift Series	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA4330AIRGYT	文件：1.15893 Mbytes Page：29 Pages	50mV VOS, 0.25mV/째C, 35mA CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS Zer첩-Drift Series	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PA4330	文件：1.47111 Mbytes Page：3 Pages	POWERMAGNETICS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
PBSS4330PA	文件：165.24 Kbytes Page：15 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4330PA	文件：707.43 Kbytes Page：16 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. PNPcomplement:PBSS5330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4330PAS	文件：734.28 Kbytes Page：18 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. PNPcomplement:PBSS5330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4330PAS-Q	文件：294.49 Kbytes Page：15 Pages	30V,3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleand soldarablesidepads. PNPcomplement:PBSS5330PAS 2.Featuresandbenefits •Lowcol	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4330X	文件：421.09 Kbytes Page：13 Pages	NPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement –DC/DCconverters –Supplylines	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4330X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4330X	文件：104.61 Kbytes Page：12 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequiremen	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
OPA4330AIRGYT
功能描述：
运算放大器 - 运放 1.8V,35uA,microPwr 0 Drift CMOS Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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