ONET4201LDRGET资料datasheet下载原装现货第2页-114ic电子网

首页 >ONET4201LDRGET>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
AP4201	文件：858.95 Kbytes Page：27 Pages	27ch100mALEDDriverIC	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
BD4201FV	文件：86.2 Kbytes Page：9 Pages	BatteryBackupIC BD4201FVisabatterybackupIC.Switchthatdetectbatteryvoltageandswitchintobackuppowersupplyand3-channelregulatorareincorporatedintoasinglechip.Currentconsumptionis15µA(Max.).ThisICisperfectforportableappliances. zFeatures 1)LowquiescentcurrentNormaloperat	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CAT4201	文件：190.66 Kbytes Page：13 Pages	350mAHighEfficiencyStepDownLEDDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT4201	文件：327.96 Kbytes Page：15 Pages	350mAHighEfficiencyStepDownLEDDriver	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT4201	文件：134.97 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencyStepDownLEDDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAV4201	文件：179.69 Kbytes Page：12 Pages	350mAHighEfficiencyStepDownLEDDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CED4201	文件：1.14261 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CED4201	文件：422.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-40V,-28A,RDS(ON)=26mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=36mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4201	文件：1.42829 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM4201	文件：416.92 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-40V,-7.5A,RDS(ON)=28mW@VGS=-10V. RDS(ON)=38mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4201	文件：603.87 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -40V,-7.5A,RDS(ON)=28mW@VGS=-10V. RDS(ON)=38mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4201	文件：422.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-40V,-28A,RDS(ON)=26mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=36mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CS4201	文件：1.56468 Mbytes Page：81 Pages	CrystalClear짰AudioCodec??7forPortableComputing	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
CS4201	文件：1.2986 Mbytes Page：66 Pages	AudioCodec??7withHeadphoneAmplifier	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
CS4201	文件：1.14435 Mbytes Page：68 Pages	CrystalClearAudioCodec97withheadphoneAmplifier Description TheCS4201isanAC’972.1compliantstereoaudiocodecdesignedforPCmultimediasystems.ItusesindustryleadingCrystalClear®delta-sigmaandmixedsignaltechnology.ThisadvancedtechnologyandthesefeaturesaredesignedtohelpenablethedesignofPC99andPC2001complian	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
D4201N	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	RectifierDiode RectifierDiode	eupeceupec GmbH 欧派克	eupec
D4201N	文件：251.41 Kbytes Page：9 Pages	Fullblockingcapability50/60Hzoverawidetemperaturerange KeyParameters VRRM2200V IFAVM4240A(TC=100°C) IFSM3570A(T88000AC=55°C) VT00,668V rT0,083mΩ RthJC8,5K/kW ClampingForce36…52kN Max.Diameter121mm ContactDiameter86mm Height35mm Features •Fullblockingcapability50/60Hzoveraw	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
DS4201	文件：380.03 Kbytes Page：24 Pages	USBAudioDAC	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS4201F	文件：380.03 Kbytes Page：24 Pages	USBAudioDAC	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
EC4201KF	文件：36.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorLow-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Largecurrentcapacitance. •Mountingheight:0.4mm. •SmallON-resistance(Ron). Applications •Low-frequencyAmplifier,mutingcircuit.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO

<<<123 4 5 6 7 >>>

产品属性

产品编号：
ONET4201LDRGET
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 激光驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
激光二极管驱动器（光纤）
数据速率：
4.25Gbps
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
电流 - 调制：
85mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
24-VQFN（4x4）
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC LASER DRVR 4.25GB 3.6V 24VQFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ONET4201LDRGET	Texas Instruments	23+	24-VQFN(4x4)	25038	驱动器IC-原装正品	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	ONET4201LDRGET	TI	2020+	QFN	8000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市英卓尔科技有限公司	ONET4201LDRGET	TI	QFN24	全新原装无铅现货库存	3000		询价
深圳市仟禧电子有限公司	ONET4201LDRGET	TI/德州仪器	22+	QFN	10000	只做原装现货假一赔十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ONET4201LDRGET	TI	22+	QFN24	65568	代理授权直销,原装现货,长期稳定供应	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	ONET4201LDRGET	TI	22+	QFN	9800	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	ONET4201LDRGET	TI(德州仪器)	23+	VQFN-24(4x4)	1083	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	ONET4201LDRGET	TI	2017+	QFN	24896	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	ONET4201LDRGET	TexasInstruments	2022	ICLSRDRVR4.25GBPS3.6V24V	3268	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市凌旭科技有限公司	ONET4201LDRGET	TI	2016+	QFN	9000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价

更多ONET4201LDRGET供应商更新时间2024-4-30 15:15:00

产品属性

相关规格书

相关库存