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CEM4201	文件：416.92 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -40V, -7.5A, RDS(ON) = 28mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 38mW @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired. 文件：416.92 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEM4201	文件：603.87 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -7.5A, RDS(ON) = 28mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 38mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead free product is acquired. 文件：603.87 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEM4201	文件：1.42829 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.42829 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEM4201	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	CET 华瑞	CET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEM4201供应商更新时间2025-11-30 14:13:00