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OA	文件：482.95 Kbytes Page：8 Pages	型号：DMN2024UFDF-13；Package：U-DFN2020-6；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,whichmakesit idealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Applications BatteryManagementApplication PowerManagementFunctions DC-DCConvert	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
OA	文件：482.95 Kbytes Page：8 Pages	型号：DMN2024UFDF-7；Package：U-DFN2020-6；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,whichmakesit idealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Applications BatteryManagementApplication PowerManagementFunctions DC-DCConvert	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
OA	文件：3.21955 Mbytes Page：50 Pages	型号：TPS7A0312PDQNR；Package：X2SON；TPS7A03 Nanopower IQ, 200-nA, 200-mA, Low-Dropout Voltage Regulator With Fast Transient Response 1Features •Ultra-lowIQ:200nA(typ),evenindropout •ShutdownIQ:3nA(typ) •Excellenttransientresponse(1mAto50mA) –	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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OA	文件：3.21839 Mbytes Page：50 Pages	型号：TPS7A0312PDQNR；Package：X2SON；TPS7A03 Nanopower IQ, 200-nA, 200-mA, Low-Dropout Voltage Regulator With Fast Transient Response 1Features •Ultra-lowIQ:200nA(typ),evenindropout •ShutdownIQ:3nA(typ) •Excellenttransientresponse(1mAto50mA) –	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OA	文件：1.20392 Mbytes Page：6 Pages	型号：LM1608C-470M-N；Inductor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
OA	文件：755.43 Kbytes Page：8 Pages	型号：SCD03021T-470K-N；Package：SMD；This specification applies to SMD Unshielded Power Inductors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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OA	文件：915.91 Kbytes Page：7 Pages	型号：WS7918DC-6/TR；Package：DFN1109-6L；CMOS High Gain GPS LNA	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI

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