NZT660A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
NZT660A |
参数属性 | NZT660A 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 3A SOT223-4 |
功能描述 | PNP低饱和晶体管 |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 18:05:00 |
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NZT660A规格书详情
描述 Description
这些器件设计为具有高电流增益和低饱和电压,连续集电极电流最高可达3A。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
NZT660A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NZT660A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:NZT660A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:3
- VCEO Min (V)
:60
- VCBO (V)
:60
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:1.25
- VBE(on) (V)
:1
- hFE Min
:250
- hFE Max
:550
- fT Min (MHz)
:75
- PTM Max (W)
:2
- Package Type
:SOT-223-4/TO-261-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
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