NZT660中文资料PNP 低饱和晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NZT660 |
| 参数属性 | NZT660 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 3A SOT223-4 |
| 功能描述 | PNP 低饱和晶体管 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 12:37:00 |
| 人工找货 | NZT660价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NZT660规格书详情
描述 Description
这些器件设计为具有高电流增益和低饱和电压，连续集电极电流最高可达3A。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
NZT660属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NZT660晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：NZT660
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.55
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：60
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：1.25
- VBE(on) (V)
：1
- hFE Min
：100
- hFE Max
：300
- fT Min (MHz)
：75
- PTM Max (W)
：2
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223-4L |
30000 |
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询价 | ||
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23+ |
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询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
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51416 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
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SOT-223 |
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仙童 |
24+ |
SOT223 |
20000 |
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24+ |
SOT223 |
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SOT223 |
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SOT223 |
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询价 |
