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NZT605数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

NZT605

参数属性

NZT605 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 110V 1.5A SOT223

功能描述

NPN达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 110V 1.5A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NZT605规格书详情

特性 Features

•该器件为要求极高增益,集电极电流高达1.0A和高击穿电压的应用设计。
•采用工艺06设计。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

NZT605属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NZT605晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NZT605

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :1.5

  • V(BR)CEO Min (V)

    :110

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.5

  • hFE Min (k)

    :2

  • hFE Max (k)

    :100

  • fT Min (MHz)

    :150

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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