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NXH40B120MNQ0SNG	文件：645.25 Kbytes Page：13 Pages	丝印：NXH40B120MNQ0SNG；Package：Q0PACK；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package Description TheNXH40B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V,40mSiCMOSFETs •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH40B120MNQ0SNG	文件：730.33 Kbytes Page：13 Pages	丝印：NXH40B120MNQ0SNG；Package：Q0PACK；Dual Boost Power Module	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH40B120MNQ0SNG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH40B120MNQ0SNG_V01	文件：645.25 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package Description TheNXH40B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V,40mSiCMOSFETs •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NXH40B120MNQ0SNG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
配置：
双路升压斩波器
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
描述：
80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
博速半导体（深圳）有限公司	NXH40B120MNQ0SNG	ON/安森美	23+	MODULE	2683	原装正品，支持实单。	询价
深圳兆威电子有限公司	NXH40B120MNQ0SNG	ONSEMI	22	SOP12	100500	全新、原装	询价
深圳市恒科翔业电子有限公司	NXH40B120MNQ0SNG	ON/安森美	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	NXH40B120MNQ1SNG	ON	23+	原厂原封	21	订货1周原装正品	询价
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更多NXH40B120MNQ0SNG供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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