Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

Description The NXH40B120MNQ0SNG is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V, 40 m SiC MOSFETs •

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ONSEMI

安森美半导体

Module

ONSEMI

安森美半导体

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MODULE

ON

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隔离式DC/DC转换器

MuRata

村田

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SMD

NexusChips

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