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NXH006P120M3F2PTHG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NXH006P120M3F2PTHG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm, 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with HPS DBC

丝印标识

NXH006P120M3F2PTHG

封装外壳

F2HALFBR

文件大小

407.21 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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NXH006P120M3F2PTHG规格书详情

The NXH006P120M3F2PTHG is a power module containing 6 m /

1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor with HPS DBC in

an F2 package.

特性 Features

 6 m / 1200 V M3S SiC MOSFET Half−Bridge

 HPS DBC

 Thermistor

 Pre−Applied Thermal Interface Material (TIM)

 Press−Fit Pins

 These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

 Solar Inverter

 Uninterruptible Power Supplies

 Electric Vehicle Charging Stations

 Industrial Power

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