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厂商型号

NXH004P120M3F2PTNG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with Si3N4 DBC

丝印标识

NXH004P120M3F2PTNG

封装外壳

PIM36

文件大小

2.2608 Mbytes

页面数量

13

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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NXH004P120M3F2PTNG规格书详情

The NXH004P120M3F2PTNG is a power module containing 3 m /

1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor with Si3N4 DBC in

an F2 package.

特性 Features

• 4 m / 1200 V M3S SiC MOSFET Half−Bridge

• Si3N4 DBC

• Thermistor

• Pre−Applied Thermal Interface Material (TIM)

• Press−Fit Pins

• These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

• Solar Inverter

• Uninterruptible Power Supplies

• Electric Vehicle Charging Stations

• Industrial Power

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