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NX7002BKS_15	文件：301.63 Kbytes Page：16 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：301.63 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX7002BKW	文件：727.84 Kbytes Page：15 Pages	丝印：B6；Package：SC-70；60 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：727.84 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX7002BKW_15	文件：271.01 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：271.01 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX7002BKXB	文件：743.47 Kbytes Page：17 Pages	丝印：000101；Package：DFN1010B-6；60 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：743.47 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX7002BKXB_15	文件：265.48 Kbytes Page：17 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：265.48 Kbytes 页数：17 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX7002BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
NX7002BKM	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
NX7002BKMB	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia

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技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2800
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
3200
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.27
QGD [typ] (nC)：
0.18
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ptot [max] (W)：
0.31
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
23.6
Coss [typ] (pF)：
4.6
Release date：
2014-08-19

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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