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NX138AK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Tench MOSFET; • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
NX138AK	文件：787.53 Kbytes Page：15 Pages	丝印：NX138AK；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Tench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138AKH	文件：286.38 Kbytes Page：14 Pages	丝印：0001；Package：SOT8001；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadless,ultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138AKM	文件：282.74 Kbytes Page：14 Pages	丝印：6A；Package：SOT883；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadless,ultrasmallDFN1006-3 (SOT883)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138AKM	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET; • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless, ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
NX138AKR-ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET);	ElecSuperHunan Jingxin Microelectronics Technology Co., Ltd 静芯微湖南静芯微电子技术有限公司	ElecSuper
NX138AKS	文件：789.86 Kbytes Page：16 Pages	丝印：NX138AKS；Package：TSSOP6；60 V, dual N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
4500
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
5200
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
10000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.19
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
0.90000004
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
1.1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
14.999999
Coss [typ] (pF)：
2.3
Release date：
2016-06-10

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技术参数

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