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NVTYS003N04CL	文件：350.54 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 3.4 m, 107 A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS003N04CLTWG	文件：350.54 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 3.4 m, 107 A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS003N04C	文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,N-Channel40V,3.5m,103A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS003N04CTAG	文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,N-Channel40V,3.5m,103A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS003N04C	文件：208.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,3.5m,103A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS003N04C−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS003N04CTAG	文件：208.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,3.5m,103A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS003N04C−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS003N04CTAG	文件：208.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,3.5m,103A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS003N04C−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS003N04C	文件：330.66 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,3.9m,99A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS003N04CTWG	文件：330.66 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,3.9m,99A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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