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NVTFS5820NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，29A，11.5 mΩ，单 N 沟道，u8FL，逻辑电平适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。 • Low on resistance\n• Minimizes conduction losses\n• High current handling capability\n• Provides robust load drive performance\n• AEC-Q101 qualified\n• Suitable for automotive systems\n• 100% avalanche energy tested\n• Safguards agains voltage overstress failure;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.3
ID Max (A)：
29
PD Max (W)：
21
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
15
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
11.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
Ciss Typ (pF)：
1462
Package Type：
WDFN-8/u8FL

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