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NVTFS5820NL	文件：121.88 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 11.5 m, Single N?묬hannel, 8FL Power MOSFET 文件：121.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS5820NL	文件：445.5 Kbytes Page：6 Pages	150 mA, Ultra Low Supply Current, Low Dropout Regulator 文件：445.5 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS5820NL	文件：124.55 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS5820NL_13	文件：124.55 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS5820NLTAG	文件：124.55 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVTFS5820NLTWG	文件：124.55 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NVTFS5820NLWFTWG	文件：124.55 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：124.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.3
ID Max (A)：
29
PD Max (W)：
21
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
15
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
11.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
Ciss Typ (pF)：
1462
Package Type：
WDFN-8/u8FL

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