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NVMFWS005N10MCLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NVMFWS005N10MCLT1G
厂商型号

NVMFWS005N10MCLT1G

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 100 V, 5.1 m, 108 A

丝印标识

005W10

封装外壳

DFN5

文件大小

153.43 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:14:00

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NVMFWS005N10MCLT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• NVMFWS005N10MCL − Wettable Flank Products

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free

and are RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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