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NVMFWD030N06CT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFWD030N06CT1G

功能描述

MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO-8FL 60 V, 29.7 m, 19 A

丝印标识

30DN6W

封装外壳

SO-8FL

文件大小

253.94 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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NVMFWD030N06CT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFWD030N06C − Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

• Power Tools, Battery Operated Vacuums

• UAV/Drones, Material Handling

• BMS/Storage, Home Automation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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NA/
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10000
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原装正品,质量保证,可开税票
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