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NVMFS6H858NLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NVMFS6H858NLT1G
厂商型号

NVMFS6H858NLT1G

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 19.5 m, 30 A

丝印标识

6H858L

封装外壳

DFN5

文件大小

186.44 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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NVMFS6H858NLT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFS6H858NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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