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NVMFWS004N10MCT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFWS004N10MCT1G

功能描述

MOSFET – Power, Single N-Channel 100 V, 3.9 m, 138 A

丝印标识

004W10

封装外壳

DFN5

文件大小

211.38 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 9:07:00

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NVMFWS004N10MCT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free

and are RoHS Compliant

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