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NVMFS5C670N	文件：179.45 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single, N-Channel 60 V, 7.0 m, 71 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C670NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：179.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NT1G	文件：179.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：5C670N；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single, N-Channel 60 V, 7.0 m, 71 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C670NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：179.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NWFT1G	文件：179.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：670NWF；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single, N-Channel 60 V, 7.0 m, 71 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS5C670NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：179.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NL	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NL	文件：127.5 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NL_17	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLAFT1G	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLT1G	文件：127.5 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLT1G	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLT3G	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
71
PD Max (W)：
61
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
14.4
Ciss Typ (pF)：
1035
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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