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NVMFD5C668NL中文资料功率 MOSFET,60V,68 A,6.5 mΩ,双 N 沟道数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVMFD5C668NL

参数属性

NVMFD5C668NL 包装为卷带(TR)卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:T6 60V S08FL DUAL

功能描述

功率 MOSFET,60V,68 A,6.5 mΩ,双 N 沟道
T6 60V S08FL DUAL

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-18 14:35:00

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NVMFD5C668NL规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
• NVMFD5C668NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

应用 Application

• Solenoid driver
• Low side / high side driver
• Automotive engine controllers
• Antilock braking system

简介

NVMFD5C668NL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的NVMFD5C668NL晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVMFD5C668NL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :68

  • PD Max (W)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :9.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :9.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21.3

  • Ciss Typ (pF)

    :1440

  • Package Type

    :SO-8FL Dual/DFN-8

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