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NVMFD5C462N数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

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厂商型号

NVMFD5C462N

参数属性

NVMFD5C462N 包装为卷带(TR)卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

功能描述

功率 MOSFET,40V,70A,5.4mΩ,双 N 沟道,逻辑电平
40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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NVMFD5C462N规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low on resistance
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Safeguard against voltage overstress failures
• AEC-Q101 Qualified
• Suitable for automotive applications

应用 Application

• Solenoid driver
• Low side / high side driver
• Automotive engine controllers
• Antilock braking systems

简介

NVMFD5C462N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的NVMFD5C462N晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVMFD5C462N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :67

  • PD Max (W)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :1020

  • Package Type

    :SO-8FL Dual/DFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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