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NVMFD5C462N数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

厂商型号 |
NVMFD5C462N |
参数属性 | NVMFD5C462N 包装为卷带(TR)卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA |
功能描述 | 功率 MOSFET,40V,70A,5.4mΩ,双 N 沟道,逻辑电平 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 20:00:00 |
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NVMFD5C462N规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性 Features
• Low on resistance
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Safeguard against voltage overstress failures
• AEC-Q101 Qualified
• Suitable for automotive applications
应用 Application
• Solenoid driver
• Low side / high side driver
• Automotive engine controllers
• Antilock braking systems
简介
NVMFD5C462N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的NVMFD5C462N晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
:NVMFD5C462N
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:40
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3.5
- ID Max (A)
:67
- PD Max (W)
:50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:5.4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16
- Ciss Typ (pF)
:1020
- Package Type
:SO-8FL Dual/DFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON |
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TDFN8 |
120 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NA |
23+ |
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ON |
23+ |
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4000 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ON |
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DFN-8 |
39500 |
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ONSEMI |
21+ |
DFN-8 |
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23+ |
SO-8FL Dual / DFN-8 |
41240 |
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ON/安森美 |
NA |
275000 |
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ON/安森美 |
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DFN |
9000 |
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