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NVMFD5853NWF

Dual N?묬hannel Power MOSFET

文件:130.69 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMFD5853NWFT1G

Dual N?묬hannel Power MOSFET

文件:130.69 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMFD5853N

双 N 沟道功率 MOSFET 40V,53A,10mΩ

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable;

ONSEMI

安森美半导体

NVMFD5853NL

双 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,40V,34A,10mΩ

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引线封装,具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。 • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    53

  • PD Max (W):

    58

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    24

  • Ciss Typ (pF):

    1225

  • Package Type:

    SO-8FL Dual/DFN-8

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ON/安森美
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更多NVMFD5853N供应商 更新时间2025-12-14 14:02:00